IT/과학
ETRI, "캐패시터 없는 DRAM" 구현 성공…차세대 저전력 메모리 선점
뉴스보이
2026.04.14. 16:08
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간단 요약
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ETRI는 산화물 반도체 트랜지스터로 캐패시터 없는 2T0C DRAM을 구현했습니다.
이는 기존 대비 13배 향상된 데이터 유지 성능으로 AI 시대 저전력 메모리에 기여합니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
한국전자통신연구원(ETRI)이 캐패시터 없이 데이터를 안정적으로 저장하는 차세대 메모리(DRAM) 구조를 구현했습니다.
ETRI는 디스플레이 산업에 활용되는 산화물 반도체 트랜지스터를 적용하여 '2T0C(2 Transistor 0 Capacitor)' DRAM 구조를 개발했습니다. 이는 기존 1T1C DRAM의 캐패시터 제조 어려움과 전력 소모 문제를 해결하는 대안으로 주목받고 있습니다.
연구진은 알루미늄이 첨가된 인듐 주석 아연 산화물(ITZO) 소재와 아산화질소(N2O) 플라즈마 공정을 통해 누설 전류를 효과적으로 억제했습니다. 그 결과, 1000초 이상 데이터를 유지할 수 있었으며, 데이터를 '0'과 '1'로 구분하는 메모리 윈도우도 약 13배 향상되었습니다.
이러한 핵심 성능 개선은 2T0C DRAM의 실제 메모리 응용 가능성을 높였으며, 인공지능(AI) 시대에 필요한 고집적·저전력 메모리 기술 확보에 중요한 전환점이 될 것으로 전망됩니다.
ETRI 플렉시블전자소자연구실 남수지 박사는 산화물 반도체 기술이 차세대 메모리 소자에 적용될 수 있음을 확인했으며, 앞으로 3차원 반도체 집적 기술과 저전력 컴퓨팅 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대한다고 밝혔습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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