IT/과학
한양대 연구팀, 반도체 성능·안정성 높이는 '분자 도핑 제어' 기술 개발
뉴스보이
2026.05.06. 12:02
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간단 요약
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용매 극성 조절로 강력한 루이스 페어 도펀트의 반응성을 정밀하게 제어하는 기술입니다.
이 기술로 열전 소자 전력인자 2배 이상 향상 및 80°C 고온에서 100배 이상 열적 안정성을 입증했습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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국내 연구진이 반도체의 전기적 특성을 결정하는 핵심 공정인 '도핑'을 자유자재로 조절할 수 있는 기술을 개발했습니다. 이는 차세대 유기 전자소자의 효율을 높이고 상용화를 앞당길 수 있는 새로운 공정 지표를 마련한 것입니다.
한양대학교 에너지공학과 장재영 교수 연구팀은 용매의 성질을 이용해 유기 반도체의 성능을 안정적으로 높이는 새로운 도핑 전략을 개발했습니다. 특히 용매 극성을 조절하여 강력하지만 정밀 제어가 까다로웠던 루이스 페어 도펀트의 반응성을 성공적으로 제어했습니다.
연구팀이 개발한 전략을 에틸아세테이트 용매에 적용한 결과, 기존 염화철 도핑 방식보다 열전 소자의 출력 지표인 전력인자가 2배 이상 향상되었습니다. 또한 80°C 고온 환경에서도 저항 변화가 100배 이상 억제되는 탁월한 열적 안정성을 입증했습니다.
장재영 교수는 이번 기술이 열전 소자뿐만 아니라 유기 트랜지스터, 광전자 소자 등 다양한 차세대 반도체 제조 기술에 폭넓게 활용될 수 있다고 밝혔습니다. 이번 연구 성과는 국제학술지 '어드밴스드 머티리얼즈'에 게재되었습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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