IT/과학
세미파이브, 삼성 SAFE 포럼서 AI 반도체용 "3D-IC·빅다이" 솔루션 공개
뉴스보이
2026.05.29. 10:23
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간단 요약
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세미파이브는 AI 연산 병목 해결을 위해 칩 위에 메모리를 수직 적층하는 3D IC 기술을 공개했습니다.
삼성 4나노 공정으로 대면적 AI 칩 설계를 진행 중이며, 파운드리 협력 강화 계획입니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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세미파이브는 지난 28일 미국 산호세에서 열린 삼성 어드밴스드 파운드리 에코시스템 포럼 2026에서 AI 반도체용 첨단 3D IC 및 빅다이 솔루션을 공개했습니다.
조명현 세미파이브 대표는 초거대 AI 모델 확산으로 가속화된 연산장치와 메모리 간 병목 현상, 이른바 메모리 장벽의 대안으로 3차원 적층 기반 ASIC 기술을 제시했습니다. 이 3D IC 솔루션은 연산 칩 위에 메모리를 수직으로 쌓아 올려 데이터 전송 거리를 줄이고 대역폭을 늘려 지연시간과 전력 소모를 단축합니다.
세미파이브는 현재 글로벌 고객사와 협력하여 대형 연산 칩 위에 4단 메모리를 수직 적층하는 AI 칩 상용화 프로젝트를 진행 중입니다. 또한 AI 반도체 스타트업 하이퍼엑셀의 거대언어모델 처리장치(LPU) 기반 AI 추론 가속기 베르다 개발 프로젝트에 참여했습니다.
세미파이브는 삼성 파운드리 4나노 공정을 적용하여 면적이 500mm² 이상인 대면적 칩 베르다의 설계와 검증 전반을 독자 수행했습니다. 조명현 대표는 3D IC와 빅다이 설계 기술이 AI 기술 발전의 중심에 있으며, 삼성 파운드리와의 파트너십을 통해 선도적 ASIC 설계 파트너 입지를 공고히 하겠다고 밝혔습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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