사회
경북대 김대현 교수팀, 질화갈륨 전자소자 세계 최초 '700GHz 주파수 장벽' 돌파
뉴스보이
2026.06.23. 13:50
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간단 요약
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개발된 45나노미터급 GaN HEMT는 최대 발진 주파수 742GHz를 기록했습니다.
초미세 게이트 공정과 선택적 n GaN 재성장 기술로 한계를 극복했습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
경북대학교 전자공학부 김대현 교수팀이 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)로 세계 최초 700㎓ 주파수 장벽을 돌파했습니다. 개발된 45나노미터급 GaN HEMT는 최대 발진 주파수(fmax) 742㎓를 기록했습니다. 이 연구 결과는 지난 6월 18일 미국 하와이 호놀룰루에서 열린 VLSI 심포지엄 2026에서 공개되었습니다.
GaN 반도체는 고출력 무선주파수(RF) 반도체 분야에서 주목받아 왔으나, 초고주파 영역에서는 주파수 특성 한계가 있었습니다. 김대현 교수팀은 45나노미터 게이트 길이의 초미세 게이트 공정과 선택적 n GaN 재성장 기술을 적용하여 이러한 한계를 극복했습니다.
이번 성과는 GaN 트랜지스터의 fmax가 처음으로 700㎓를 넘어선 결과입니다. 또한 차단 주파수(fT)와 fmax를 동시에 반영하는 종합 성능지표(favg) 497㎓를 달성하며 GaN 기반 초고주파 전자소자 기술의 새로운 기준을 제시했습니다. 연구는 삼성미래기술육성사업과 민군겸용기술개발사업의 지원을 받아 경북대를 중심으로 여러 기관이 공동 수행했습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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