IT/과학
인텔, ASML 차세대 '하이 NA EUV' 장비 첫 투입…AI칩 공정경쟁 승부수
뉴스보이
2026.07.15. 22:11
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간단 요약
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인텔은 18A 공정에 차세대 High NA EUV를 첫 투입, 코어 울트라 3 프로세서를 생산했습니다.
이 기술은 기존 EUV보다 미세한 회로를 구현, 2나노 이하 공정의 핵심 기술입니다.
이 기사는 4개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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ASML과 인텔이 차세대 노광 기술인 고개구수 극자외선(High NA EUV)의 첫 양산 성과를 공개했습니다. 이는 연구개발 단계를 넘어 실제 반도체 양산에 적용된 사례입니다. 인텔 파운드리는 인텔 18A 공정에서 ASML의 High NA EUV 장비를 활용하여 인텔 코어 울트라 시리즈 3(코드명 팬서레이크) 프로세서 일부를 생산하고 있습니다.
인텔은 미국 오리건 공장에서 일부 레이어에 High NA EUV를 적용했으며, 기존 극자외선(EUV) 장비와 같은 수준의 수율로 제품을 출하하고 있습니다. High NA EUV는 기존 EUV보다 더 미세한 회로를 정밀하게 구현할 수 있는 기술입니다. 이 기술은 공정 단계를 줄이면서 생산성과 전력 효율을 높여 2나노미터(㎚) 이하 공정의 핵심으로 꼽힙니다.
이번 성과는 인텔 18A 공정의 경쟁력을 높였다는 평가를 받습니다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자는 High NA EUV가 반도체 노광 기술의 중요한 진전이며, AI를 비롯한 차세대 기술 발전을 가속하는 기반이 될 것이라고 말했습니다. 나가 찬드라세카란 인텔 파운드리 총괄은 이번 성과가 High NA EUV를 첨단 반도체 양산에 적용할 수 있음을 보여준 사례라고 밝혔습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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