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UNIST, 산화물 반도체 성능 좌우하는 '산소결함' 원리 규명
뉴스보이
2026.07.19. 13:59
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간단 요약
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산화물 반도체의 성능을 결정하는 핵심 요인이 원자 밀도가 아닌 금속 원자 간 거리임이 밝혀졌습니다.
이번 연구로 공정 조건을 조절해 반도체의 문턱전압과 신뢰성을 제어할 수 있는 길이 열렸습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
울산과학기술원(UNIST) 반도체소재·부품대학원 연구팀이 스마트폰과 TV 화면 등에 쓰이는 산화물 반도체(IGZO)의 성능을 결정짓는 핵심 원리를 규명했습니다. 연구팀은 반도체 성능을 좌우하는 '산소 빈자리 결함'의 성질이 전체 원자 밀도가 아닌, 결함 주변 금속 원자 사이의 거리에 의해 결정된다는 사실을 이론적으로 증명했습니다.
연구팀은 원자와 전자 상태를 계산하는 밀도범함수이론과 구성좌표 분석, 제일원리 분자동역학 시뮬레이션 등 정밀한 계산 기법을 활용했습니다. 이를 통해 산소 빈자리 결함이 반도체 내에서 어떤 전기적 역할을 수행하는지 상세히 분석했습니다.
연구를 이끈 정창욱 교수는 "산소 빈자리 결함은 피하기 어려운 요소지만, 공정 조건을 통해 그 역할을 조절할 수 있음을 입증했다"고 설명했습니다. 열처리 조건이나 박막에 가해지는 응력을 설계하면 문턱전압과 전류 제어 특성, 신뢰성을 동시에 확보할 수 있다는 분석입니다.
이번 연구 성과는 미국화학회(ACS)가 발행하는 국제학술지 '케미스트리 오브 머티리얼즈'에 지난 6월 23일 게재되며 학계의 주목을 받았습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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