사회
차세대 반도체 배선 '위상금속' 성능 입증 및 질화물 반도체 특성 저하 원인 규명
뉴스보이
2026.07.20. 14:30
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간단 요약
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가천대와 코넬대 연구팀이 위상금속 NbAs의 우수한 전기적 성능을 세계 최초로 실증했습니다.
전북대와 GIST는 질화물 반도체의 두께 증가에 따른 전기적 특성 저하 원인을 밝혀냈습니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
가천대 반도체공학과 진강태 교수와 미국 코넬대 공동연구팀이 차세대 반도체 배선 소재인 위상금속 '나이오븀 아세나이드(NbAs)'의 우수한 전기적 성능을 세계 최초로 입증했습니다. 이번 연구 결과는 세계적 학술지 사이언스에 게재되며 반도체 소자 미세화의 새로운 가능성을 제시했습니다.
연구팀은 열 기계적 나노몰딩 공정을 통해 직경 약 40나노미터의 단결정 NbAs 나노와이어를 제작했습니다. 실험 결과, 이 소재의 상온 저항률은 9.7±1.6μΩ·cm로 벌크 상태보다 3~4배 낮았습니다. 이는 위상금속 고유의 표면 상태가 1차원 구조에서 강해지며 전자의 산란을 줄인 결과로 분석됩니다.
한편, 전북대 전자재료공학전공 박광욱 교수팀과 광주과학기술원(GIST) 공동연구팀은 저비용 차세대 질화물 반도체인 '아연주석질화물반도체(ZnSnN₂)'의 특성 저하 원인을 규명했습니다. 연구 결과, 박막 두께가 증가할 때 나타나는 전기적 특성 저하는 소재 자체의 문제가 아닌 컬럼 간 공극 확대와 연결성 약화 때문인 것으로 확인됐습니다.
ZnSnN₂는 저렴한 아연과 주석을 사용하는 소재로, 향후 광검출기나 태양전지 등 다양한 광전자소자 분야에 활용될 것으로 기대됩니다. 이번 연구는 질화물 반도체의 상용화를 위해 미세구조 제어가 필수적임을 시사합니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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