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KAIST, 150도 저온 반도체 제조기술 확보… 우주 방사선 내구성도 입증

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뉴스보이

2026.07.27. 11:15

KAIST, 150도 저온 반도체 제조기술 확보… 우주 방사선 내구성도 입증

간단 요약

150도의 저온에서 반도체를 손상 없이 쌓는 새로운 제조기술이 개발되었습니다.

우주 방사선 환경에서 이황화몰리브덴이 뛰어난 내구성을 보임을 실시간으로 확인했습니다.

이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.

KAIST 서준기 생명화학공학과 교수팀이 150도의 낮은 온도에서 반도체를 손상 없이 쌓는 원자층증착법(ALD) 기술을 개발했습니다. 기존 반도체 성장 공정은 수백 도의 고온이 필요해 하부층이 손상되는 문제가 있었으나, 이번 기술을 통해 공정 온도를 획기적으로 낮춰 반도체 소자의 안정성을 확보했습니다. 서울시립대 김태완 교수팀은 우주 환경에서의 반도체 내구성을 검증하는 연구를 수행했습니다. 연구팀은 국제우주정거장에서 약 70~80년 동안 누적되는 수준의 중성자 방사선을 2차원 반도체에 쬐는 극한 실험을 진행했습니다. 그 결과, 여러 후보 소재 가운데 이황화몰리브덴이 이황화텅스텐보다 방사선에 훨씬 강하다는 사실을 밝혀냈습니다. 이번 연구는 방사선을 쬔 뒤 사후 분석하던 기존 방식과 달리, 작동 중인 반도체의 전압과 전류 변화를 실시간으로 측정했습니다. 원자층 사이가 약해 종이처럼 얇게 떼어낼 수 있는 2차원 반도체 소재인 '반데르발스 소재'의 우주 환경 활용 가능성을 한층 높였다는 평가를 받습니다.
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