경제
삼성전자, HBM5 베이스 다이에 2나노 GAA 공정 적용… 성능 50% 향상 목표
뉴스보이
2026.07.28. 07:15
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간단 요약
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삼성전자가 차세대 HBM5 베이스 다이에 2나노 GAA 공정을 도입해 성능을 대폭 끌어올립니다.
설계부터 패키징까지 아우르는 턴키 솔루션으로 AI 반도체 시장 주도권을 확보할 계획입니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스 다이에 2나노 파운드리 공정을 적용하는 구상을 공개했습니다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 인터뷰를 통해 차세대 AI 반도체 시장 공략에 속도를 내겠다는 의지를 밝혔습니다.
HBM5의 베이스 다이에는 게이트올어라운드(GAA) 구조의 2나노 공정이 도입됩니다. 이를 통해 HBM4E 대비 동작 속도를 50% 이상 향상하고, 더욱 높은 집적도의 실리콘 관통 전극(TSV)을 구현할 계획입니다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조 하단에서 외부 프로세서와 데이터를 연결하고 자체 연산까지 수행하는 핵심 부품입니다.
삼성전자는 설계와 제조, 패키징을 모두 아우르는 턴키 솔루션을 핵심 경쟁력으로 내세웠습니다. 실제로 HBM4 베이스 다이 개발 당시 전사 태스크포스를 구성해 공정 셋업부터 샘플 개발까지 약 3개월 만에 완료하며 기술적 효율성을 입증한 바 있습니다.
현재 삼성전자는 테슬라를 비롯한 다수의 AI·고성능컴퓨팅(HPC)·클라우드서비스제공사(CSP) 등 대형 고객사 수주를 이어가고 있습니다. 또한 올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일 신제품 양산을 시작하며 파운드리 로드맵을 구체화할 예정입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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