IT/과학
ST마이크로, 전력설계 간소화 돕는 갈바닉 절연 게이트 드라이버 출시
뉴스보이
2026.07.31. 15:28
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간단 요약
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SiC 및 IGBT 전력반도체를 정밀하게 제어하는 3A급 신제품을 선보였습니다.
국제 안전 인증을 획득해 고전압 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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ST마이크로일렉트로닉스가 실리콘카바이드(SiC)와 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)를 제어하는 강화 갈바닉 절연 게이트 드라이버 'STGAP3S' 시리즈를 출시했습니다. 이번 신제품은 전력 설계의 복잡성을 줄이고 효율을 높이는 데 초점을 맞췄습니다.
STGAP3S 시리즈는 최대 1200V 고전압 레일을 지원하며, 9.6kV의 과도 전압 보호와 200V/ns의 공통 모드 과도 내성(CMTI) 성능을 갖췄습니다. 또한 UL 1577 및 IEC 60747-17 등 국제 안전·절연 인증을 획득해 고전압 환경에서의 신뢰성을 입증했습니다.
제품은 충전소, 에너지저장시스템(ESS), 태양광 인버터, 산업용 전기차 등 다양한 분야에 활용 가능합니다. 불포화 검출을 통한 소프트 턴오프와 과열 차단 등 보호 기능을 탑재해 안전성을 강화했습니다. 가격은 1000개 주문 기준 개당 1.93달러부터 시작하며, 현재 양산 중입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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