경제
DB하이텍, 세계 최초 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄공정 구축…2027년 양산
뉴스보이
2026.09.09. 10:09
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간단 요약
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차세대 전력반도체인 SiC MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 성공적으로 마쳤습니다.
2027년 2분기부터 모든 고객을 대상으로 본격적인 양산 서비스를 제공할 계획입니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료했습니다. 이번 성과로 설계부터 제조, 신뢰성 검증까지 아우르는 8인치 SiC 파운드리 일괄공정을 세계 최초로 구축하며 2027년 양산 체제에 본격적으로 돌입합니다.
현재 2세대 공정은 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.5mΩ·㎠ 이하, 문턱전압 3V 이상의 성능을 구현했습니다. DB하이텍은 기술 고도화를 위해 오는 11월 3세대 PDK를 출시하고, 3세대 공정에서는 비저항 2.3mΩ·㎠ 이하와 단락 내량시간 2.5μs 이상을 목표로 검증을 이어갈 방침입니다.
SiC 시장은 기존 6인치에서 생산 효율과 원가 경쟁력이 높은 8인치로 전환되는 추세입니다. 고객사는 DB하이텍이 제공하는 PDK를 활용해 제품 개발 기간을 1년 이상 단축할 수 있을 것으로 기대됩니다. 서비스는 2027년 2분기부터 모든 고객을 대상으로 확대될 예정입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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