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중국, 2030년까지 고밀도 메모리 등 반도체 산업망 발전 추진

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뉴스보이

2026.09.15. 18:45

중국, 2030년까지 고밀도 메모리 등 반도체 산업망 발전 추진

간단 요약

중국 정부가 2030년까지 반도체 산업망을 고도화하겠다는 청사진을 제시했습니다.

매출 30조 위안 달성과 함께 R&D 투자를 대폭 확대해 기술 자립을 꾀할 방침입니다.

이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.

중국 공업정보화부와 국가발전개혁위원회가 15일(현지시간) '제15차 5개년 계획(2026~2030년)'을 발표하며 반도체 산업 육성 의지를 드러냈습니다. 이번 계획은 2030년까지 고밀도 메모리를 포함한 전체 반도체 산업망의 난관을 돌파하고 기술 경쟁력을 확보하는 데 초점을 맞췄습니다. 중국은 구체적인 성장 목표도 제시했습니다. 일정 규모 이상의 기업 매출 합계를 30조 위안(약 6천조 원)까지 끌어올리고, 매출 대비 연구개발(R&D) 투자 비율을 3.5%로 확대하겠다는 계획입니다. 이는 인공지능(AI) 시장 확대에 따른 메모리 수요 급증에 대응하려는 전략으로 풀이됩니다. 특히 고밀도 메모리인 D램과 고대역폭메모리(HBM), 고대역폭 낸드플래시(HBF) 등 차세대 제품 연구개발을 강조했습니다. 현재 세계 메모리 시장은 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하고 있으나, 창신메모리(CXMT)와 양쯔메모리(YMTC) 등 중국 기업들이 추격에 속도를 내는 상황입니다. 기술 자립을 위한 생태계 조성 방안도 포함됐습니다. 중국 당국은 집적회로 등 중점 분야의 특허 풀을 구축하고, 기업 간 지식재산권 교차 라이선싱과 공유를 촉진해 혁신 역량을 강화하겠다는 방침입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다.
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