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삼성전자·SK하이닉스, 7세대 HBM 공개하며 중국 기술 추격 우려 일축
뉴스보이
2026.10.15. 08:52
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간단 요약
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7세대 HBM4E를 공개한 국내 양강은 중국과의 기술 격차가 여전함을 강조했습니다.
전문가들은 중국의 추격 우려가 과도한 착시이며 기술 격차는 5~7년이라고 분석했습니다.
이 기사는 9개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 9개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
14일 서울 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에서 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 샘플을 나란히 공개하며 메모리 시장의 기술 우위를 입증했습니다. SK하이닉스는 샘플 공급을 마치고 내년 본격적인 양산을 목표로 개발에 박차를 가하고 있습니다.
최근 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 4F² 신기술을 적용한 서버용 D램 출시를 예고하며 시장의 긴장감이 높아졌습니다. 4F² 설계는 기존 6F² 구조보다 데이터를 저장하는 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있는 핵심 기술입니다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 삼성전자 역시 해당 기술을 개발 중이라고 밝혔습니다.
중국의 추격 우려가 과도하게 반영되며 이달 들어 삼성전자 주가는 16% 하락했습니다. 하지만 전문가들은 양사의 기술 격차가 여전히 5~7년에 달한다고 분석합니다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO) 또한 중국의 HBM 추격이 기술적 난도로 인해 쉽지 않을 것이라고 내다봤습니다.
반도체 업계는 AI 인프라 성능 규모가 2030년까지 올해의 약 20배로 성장할 것으로 전망하며 수요 대응에 나섰습니다. 삼성전자는 경기 용인 국가산업단지에 약 360조 원을 투자해 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 미래 경쟁력을 확보할 계획입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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