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쌓지 않고 원자만 바꾼다…IBS, 0.7nm급 초미세 모듈형 트랜지스터 기술 개발
뉴스보이
2026.10.16. 03:02
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간단 요약
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원자 치환 방식을 통해 단일 박막 내에 반도체와 절연막, 전극을 구현하는 데 성공했습니다.
초미세·초저전력 반도체 구현을 앞당길 이번 연구 결과는 국제학술지 사이언스에 게재됐습니다.
이 기사는 10개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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기초과학연구원(IBS) 반데르발스 양자 물질 연구단 조문호 단장(포스텍 석학교수) 연구팀이 반도체를 구성하는 원자를 선택적으로 치환해 모듈형 트랜지스터를 제작하는 기술을 개발했습니다. 기존처럼 서로 다른 소재를 쌓는 방식이 아닌, 단일 박막 내에서 반도체와 절연막, 전극 접합층을 구현한 이번 성과는 국제학술지 '사이언스'에 게재됐습니다.
연구팀은 반응 온도와 기체 압력을 정밀하게 조절해 0.7nm 두께의 원자층 단위로 물질을 바꾸는 데 성공했습니다. 이를 통해 전하의 에너지 장벽을 35.5meV로 낮춰 기존 방식 대비 약 3분의 1 수준으로 줄였으며, 전류 제어 성능을 나타내는 게이트 전압 변화량은 61.3mV로 상온 이론 최솟값에 근접했습니다. 또한 절연막의 전기적 성능인 등가산화막두께(EOT)도 1nm 미만을 기록했습니다.
인공지능 기술 확산으로 반도체의 집적도를 높이면서 전력 소모를 줄이는 기술이 중요해진 가운데, 이번 기술은 초미세·초저전력 반도체 개발의 새로운 돌파구가 될 전망입니다. 연구팀은 향후 다양한 2차원 반도체 소재로 기술을 확대하고, 대면적 웨이퍼 공정과 3차원 적층형 집적회로 개발에 나설 계획입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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