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원자만 바꿔 반도체·절연막 한 장에… IBS, 0.7㎚ 초미세 모듈형 트랜지스터 개발
뉴스보이
2026.10.16. 03:02
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간단 요약
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단일 박막 내 원자 치환을 통해 반도체와 절연막, 전극을 한 번에 구현하는 신기술을 개발했습니다.
초미세·초저전력 반도체 구현의 새 패러다임을 제시하며 국제 학술지 '사이언스'에 게재되었습니다.
이 기사는 10개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 10개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
기초과학연구원(IBS) 반데르발스 양자 물질 연구단 조문호 단장(포스텍 석학교수) 연구팀이 반도체를 구성하는 원자를 선택적으로 치환해 하나의 박막에 반도체와 절연막, 전극 접합층을 구현하는 '모듈형 트랜지스터 제작 기술'을 개발했습니다. 기존처럼 서로 다른 소재를 쌓아 올리는 방식의 한계를 극복한 이번 성과는 국제 학술지 '사이언스'에 게재됐습니다.
연구팀은 반응 온도와 기체 압력을 정밀하게 조절해 약 0.7나노미터(㎚) 두께의 원자층 단위로 물질을 바꾸는 데 성공했습니다. 이를 통해 전하의 에너지 장벽을 35.5meV로 낮춰 기존 대비 3분의 1 수준으로 줄였고, 전류 제어 성능인 게이트 전압 변화량은 이론적 최솟값에 근접한 61.3mV를 기록했습니다. 또한 1V 전압에서 작동하는 상보형 인버터를 제작하고, 등가산화막두께(EOT)를 1나노미터 미만으로 구현하며 초저전력 소자로서의 가능성을 입증했습니다.
과학기술정보통신부는 이번 연구가 전략기술 분야의 핵심 난제를 해결한 사례라고 평가했습니다. 연구팀은 향후 다양한 2차원 반도체 소재로 기술을 확대하는 한편, 산업 적용을 위한 대면적 웨이퍼 공정 확보와 3차원 적층형 집적회로 개발에 나설 계획입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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