사회
차세대 메모리 소재 산화하프늄의 도메인 경계 형성 원리 규명
뉴스보이
2026.10.28. 09:10
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간단 요약
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포논 쌍 응축 현상을 통해 원자 수준의 얇은 도메인 경계를 안정적으로 구현했습니다.
초고집적·저전력 반도체 메모리 설계의 핵심 기반 기술을 마련했다는 평가를 받습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
울산과학기술원(UNIST) 에너지화학공학과 이준희 교수팀과 포항공과대학교(POSTECH) 신소재공학과 최시영 교수팀이 차세대 비휘발성 메모리 소재인 산화하프늄(HfO₂)에서 도메인 경계가 형성되는 원리를 규명했습니다. 이번 연구 결과는 미국물리학회가 발행하는 국제학술지 '피지컬 리뷰 X(Physical Review X)'에 지난 8월 18일 자로 게재되었습니다.
연구팀은 산화하프늄 내부에서 나타나는 '포논 쌍 응축' 현상을 통해 도메인 경계가 원자 수준으로 얇고 안정적으로 유지됨을 확인했습니다. 기존 강유전체는 경계에서 극성이 충돌해 구조가 불안정해지는 완충지대가 필요했으나, 산화하프늄은 결정 대칭성(Pca2₁)을 그대로 유지하며 이를 극복했습니다.
연구팀은 밀도범함수이론(DFT) 계산을 통해 도메인 벽의 안정성과 원자 이동 경로를 먼저 예측했습니다. 이어 주사투과전자현미경(ABF STEM)으로 실제 산화하프늄 도메인 경계의 산소 원자 배열을 촬영해 이론을 검증했습니다. 이번 성과는 메모리 소자의 집적도를 높이고 초소형 비휘발성 메모리를 설계하는 데 핵심적인 기반이 될 전망입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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