사회
차세대 메모리 소재 산화하프늄 원리 규명…반도체 검사 잡음 잡는 기술도 개발
뉴스보이
2026.10.28. 11:22
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2026.10.28. 11:22

간단 요약
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UNIST와 POSTECH이 산화하프늄 도메인 형성 원리를 밝혀 차세대 메모리 집적도 향상의 길을 열었습니다.
DGIST 연구진은 초음파 센서에 나사산 구조를 도입해 반도체 검사 시 발생하는 영상 잡음을 줄였습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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