사회
삼성전자 반도체 핵심기술 중국에 유출한 前연구원, 징역 7년 선고
뉴스보이
2026.04.22. 15:54
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간단 요약
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전직 연구원 전씨는 10나노대 D램 최신 공정 기술을 유출했습니다.
전씨는 중국 반도체 업체 CXMT로 이직하며 29억원을 받은 것으로 조사됐습니다.
이 기사는 15개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 15개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
삼성전자의 핵심 반도체 기술을 중국으로 유출한 혐의로 기소된 전직 연구원 전모(56)씨가 1심에서 징역 7년을 선고받았습니다.
서울중앙지법 형사합의28부 한대균 부장판사는 22일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전씨에게 이같이 선고했습니다. 재판부는 유출된 기술이 국가 핵심기술에 해당하며, 전씨가 유출 과정에 공모한 점이 인정된다고 밝혔습니다.
재판부는 또한 기업은 물론 대한민국에까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌이 불가피하다고 판시했습니다. 전씨는 전직 삼성전자 부장 김모씨와 함께 중국 반도체 업체 CXMT로 이직하며 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 유출한 혐의로 지난해 5월 구속기소되었습니다.
CXMT는 중국 최초의 D램 제조업체이며, 전씨 등이 유출한 기술은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정 기술로 전해집니다. 전씨는 CXMT로부터 계약 인센티브 3억원, 스톡옵션 3억원 등을 포함해 6년간 29억원을 받은 것으로 조사되었습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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