IT/과학
로옴 SiC MOSFET, AI 서버용 BBU에 채용...HVDC 전환에 대응
뉴스보이
2026.05.21. 16:14
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간단 요약
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로옴 SiC MOSFET은 높은 온도 내성과 저손실로 AI 서버 BBU의 안정적 동작을 지원합니다.
HVDC 전환 가속화에 맞춰 고전압·대전류 제어로 차세대 AI 서버 전원 시스템을 구현합니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
로옴의 750V 내압 SiC MOSFET인 'SCT4013DLL'이 인공지능(AI) 서버 전원의 배터리 백업 유닛(BBU)에 채택되었습니다. 생성형 AI 확산으로 데이터센터의 전력 소비량이 급증하며 고전압 직류 송전(HVDC) 아키텍처로의 전환이 가속화되고 있습니다. 이에 따라 로옴의 제품은 차세대 전원 시스템을 구현하는 핵심 전력반도체로 적용되었습니다.
AI 서버용 ±400V 전력 공급 아키텍처의 전원부에 탑재된 이 제품은 SiC 특성을 기반으로 최대 접합 온도 175℃의 높은 온도 내성을 구현합니다. 전력밀도 상승과 고전압화로 발열량이 증가하는 BBU에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 또한, 차세대 800V 직류 전력 공급 아키텍처에서 BBU 내부 배터리팩에 공급되는 전원전압이 약 560V 수준이므로, 750V 내압 모델인 로옴의 SiC MOSFET 적용이 가능합니다.
대전력 및 고전압 환경에서 정전이나 순시 정전 발생 시 시스템과 방대한 데이터를 보호하기 위해 서버 랙 단위의 BBU 역할이 중요해지고 있습니다. 차세대 AI 서버의 HVDC 전원은 이상 발생 시 고전압 및 대전류를 빠르고 저손실로 제어할 수 있는 백업 시스템을 요구합니다. 이에 고내압, 저손실, 고온 내성을 겸비한 SiC 파워 디바이스가 전력 제어의 핵심 부품으로 주목받고 있습니다.
로옴은 AI 서버와 데이터센터 시장 성장에 주목하며 SiC, GaN, 실리콘을 활용한 파워 디바이스의 개발과 공급을 강화할 계획입니다. 아날로그 집적회로 등을 결합한 솔루션 제안을 통해 전력 효율 향상과 지속 가능한 사회 실현에 기여할 방침입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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