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삼성, "HBM처럼 로직도 쌓는다" 3D 적층 트랜지스터 첫 구현…반도체 미세화 한계 넘어
뉴스보이
2026.06.17. 09:28
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간단 요약
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기존 평면 트랜지스터를 수직으로 쌓아 전력 효율 2배, 성능 최대 100% 향상을 이뤘습니다.
AI 반도체 등 고성능 로직칩에 적용되어 차세대 컴퓨팅 혁신을 이끌 것으로 기대됩니다.
이 기사는 15개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 15개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
삼성전자가 반도체 미세화의 한계를 극복할 차세대 3차원(3D) 적층 트랜지스터 기술을 업계 최초로 구현했습니다. 이 기술은 인공지능(AI) 반도체 성능 향상에 크게 기여할 것으로 기대됩니다.
삼성전자 반도체연구소 로직 TD팀은 최근 미국에서 열린 2026 VLSI 심포지엄에서 업계 최소 수준인 42나노미터(nm) 게이트 피치의 3D 적층 전계효과트랜지스터(3D Stacked FET) 구현 성과를 발표했습니다. 해당 논문은 1천여 편 이상의 제출 논문 중 최고 평가를 받아 '베스트 페이퍼'로 선정되었습니다.
이번 연구의 핵심은 기존 평면 위에 배치하던 트랜지스터를 수직으로 쌓아 반도체 집적도를 획기적으로 높인 것입니다. 이 수직 적층 구조는 동일 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 전력 효율은 2배, 성능은 최대 100% 향상되는 효과를 가져옵니다.
특히, V낸드와 고대역폭메모리(HBM)에서 활용되던 수직 적층 개념을 로직 반도체에 적용하여 AI 서버와 고성능컴퓨팅(HPC)용 반도체의 연산 수요 급증에 대응할 수 있게 되었습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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