IT/과학
삼성전자, 4나노 초저전력 공정 앞세워 HBM4·AI 반도체 시장 주도
뉴스보이
2026.07.23. 11:49
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간단 요약
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최정민 삼성전자 PL이 4나노 초저전력 공정 기술 개발 성과로 대한민국 엔지니어상을 수상했습니다.
삼성전자는 이를 통해 HBM4 베이스다이 양산과 AI 반도체 파운드리 경쟁력을 동시에 확보했습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
삼성전자가 핀펫(FinFET) 기반의 4나노 초저전력 반도체 공정 기술을 완성하며 AI 반도체 시장에서 파운드리 주도권을 강화하고 있습니다. 특히 세계 최초로 양산 출하한 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 베이스다이에 해당 공정을 적용해 데이터 처리 성능을 대폭 높였습니다.
이번 공정은 3차원 구조 트랜지스터의 높이를 낮추고 소자 내 컨택 폭을 줄여 정전용량을 최소화하는 방식으로 설계됐습니다. 이를 통해 불필요한 전력 소모를 획기적으로 줄이면서도 성능을 극대화하는 데 성공했습니다.
기술적 우위를 바탕으로 삼성전자 파운드리사업부의 4나노 라인은 최근 사실상 풀가동 체제에 돌입했습니다. 지난 5월에는 업계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 엔비디아 등 주요 고객사에 전달하며 차세대 시장 선점에 속도를 내고 있습니다.
이러한 성과를 주도한 최정민 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 프로젝트리더(PL)는 공정 및 디자인 최적화 공로를 인정받아 지난 3월 대한민국 엔지니어상을 수상했습니다.
삼성전자는 메모리부터 파운드리, 패키징, 설계 역량을 모두 갖춘 수직 계열화 전략을 통해 AI 반도체 시장 공략에 박차를 가할 계획입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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