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삼성전자, FMS 2026 어워드 2관왕…V낸드·PIM 기술력 입증

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뉴스보이

2026.08.06. 14:45

삼성전자, FMS 2026 어워드 2관왕…V낸드·PIM 기술력 입증

간단 요약

미국 산타클라라에서 열린 FMS 2026에서 V10 BV 낸드LPDDR5X PIM이 각각 수상했습니다.

삼성전자는 이번 수상을 통해 차세대 메모리 시장을 선도하는 압도적인 기술력을 다시 한번 입증했습니다.

이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.

삼성전자가 세계 최대 메모리·스토리지 컨퍼런스인 'FMS 2026'에서 2개 부문을 수상하며 글로벌 기술 리더십을 확인했습니다. 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 이번 행사에서 삼성전자는 '3D 낸드 혁신상'과 '차세대 메모리상'을 동시에 거머쥐었습니다. 3D 낸드 혁신상을 받은 'V10 BV 낸드'는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 차세대 기술입니다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 'BV 기술'과 3스택 구조를 결합해 이전 세대 대비 메모리 밀도를 약 58% 향상했으며, AI 시대의 폭증하는 데이터 저장 수요를 해결할 핵심 솔루션으로 평가받습니다. 차세대 메모리상을 수상한 'LPDDR5X PIM'은 저전력 D램에 프로세싱 인 메모리 기술을 세계 최초로 적용했습니다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행해 데이터 이동 병목 현상을 최소화한 이 제품은 AI 가속기 및 고성능 컴퓨팅 분야에서 성능과 전력 효율을 극대화할 것으로 기대됩니다.
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