IT/과학
KAIST, 2차원 반도체 손상 없이 성능 260배 높이는 기술 개발
뉴스보이
2026.09.07. 13:34
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간단 요약
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2nm 두께의 이중 보호층을 활용해 반도체 결정 구조를 완벽하게 보존했습니다.
이를 통해 접촉저항을 32분의 1로 낮추고 저전압 구동 성능을 260배 향상했습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
KAIST 전기 및 전자공학부 최성율 교수와 김용훈, 강기범 교수 공동연구팀이 2차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴(MoS2)의 성능을 획기적으로 개선하는 기술을 개발했습니다. 그동안 2차원 반도체는 직렬저항 발생으로 인해 전류가 원활하게 흐르지 않는 한계가 있었습니다.
연구팀은 고분자 절연막과 산화알루미늄을 쌓은 2nm 두께의 이중 보호층을 도입해 이 문제를 해결했습니다. 이 보호층은 물리적 충격을 방어하고 화학물질만 선택적으로 통과시켜, 반도체의 결정 구조를 손상하지 않으면서도 필요한 영역에만 고농도 전자 도핑을 가능하게 했습니다.
기술 적용 결과 접촉저항은 기존 대비 32분의 1 수준으로 대폭 감소했으며, 아주 낮은 전압에서도 전류 흐름이 최대 260배까지 향상되는 성과를 거뒀습니다. 이번 연구 성과는 지난달 1일 국제학술지 '어드밴스드 머티리얼즈'에 게재됐습니다.
향후 이 기술은 초미세 저전력 논리소자나 모놀리식 3차원 반도체, 2차원 CMOS 등 차세대 반도체 회로 구현에 활용될 것으로 기대됩니다. 다만 최성율 교수는 실제 제조공정 적용을 위해 도핑 균일성 검증과 공정 시간 단축 등 추가적인 연구가 필요하다고 덧붙였습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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