IT/과학
원하는 위치에 반도체 키운다…AI 반도체 적층 난제 해결한 韓 연구진
뉴스보이
2026.10.08. 11:34
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2026.10.08. 11:34
간단 요약
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국내 연구팀이 2차원 반도체 결정의 성장 위치를 정밀 제어하는 기술을 개발했습니다.
이 기술은 차세대 적층형 AI 반도체의 성능을 극대화하고 전력 소모를 줄일 전망입니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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강기범 KAIST 신소재공학과 교수팀을 포함한 공동연구팀이 2차원 반도체 결정의 핵생성 위치를 자유자재로 조절하는 기술을 개발해 국제학술지 네이처에 발표했습니다. 이번 연구에는 김병조 UNIST 교수, 김우희 한양대 교수와 반도체 딥테크 기업 티디에스이노베이션이 참여했습니다.
연구팀이 개발한 '식각 플럭스 매개 단일 중심 핵생성(EF-SCN)' 기술은 2차원 반도체인 이황화몰리브덴(MoS2)을 원하는 지점에만 성장시키는 것이 핵심입니다. 산화하프늄(HfO2) 장벽에서 나오는 산소가 결정핵 형성을 억제하는 원리를 활용했으며, 실험 결과 400개의 패턴 중 99% 이상에서 단일 결정 성장에 성공하며 높은 정밀도를 입증했습니다.
이 기술은 연산과 메모리 소자를 수직으로 쌓는 적층형 AI 반도체 구현에 필수적입니다. 소자 간 거리를 좁혀 데이터 이동 거리를 단축함으로써 처리 속도를 높이고 전력 소모를 획기적으로 줄일 수 있기 때문입니다.
강 교수가 공동 대표로 있는 티디에스이노베이션은 이번 성과를 바탕으로 웨이퍼 전반에 적용 가능한 제조 기술을 확보할 계획입니다. 다만 실제 산업 현장에 적용하기 위해서는 대면적 기판 구현과 공정 온도 최적화 등 추가적인 연구와 신뢰성 검증이 필요합니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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