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중국 CXMT 추격에 맞불… 삼성·SK, 차세대 메모리 기술 경쟁 가속
뉴스보이
2026.10.14. 18:13
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간단 요약
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중국 CXMT가 4F² 기술을 앞세워 추격하자 삼성과 SK가 차세대 기술로 맞대응에 나섰습니다.
양사는 HBM4E 등 차세대 메모리를 공개하며 AI 시장 주도권을 굳히겠다는 전략입니다.
이 기사는 16개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 16개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
14일 서울 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에서 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 메모리 기술력을 과시했습니다. 최근 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 ‘4F²’ 기술을 적용한 D램 출시를 예고하며 기술 추격에 나서자, 양사는 이에 맞서 차세대 고대역폭메모리(HBM4E) 샘플을 공개하며 기술 우위를 강조했습니다.
4F²는 D램의 최소 단위인 셀 면적을 줄여 저장 용량을 극대화하는 차세대 기술입니다. 기존 6F² 구조보다 집적도를 높일 수 있어 메모리 성능 향상의 핵심으로 꼽힙니다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 기술 개발 상황을 재확인하며 시장 대응 의지를 내비쳤습니다.
삼성전자는 용인 국가산업단지에 약 360조 원을 투자해 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 생산 기반을 확대합니다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 AI 인프라 성능 규모가 2030년에는 올해 대비 약 20배로 커질 것으로 전망하며, 차세대 메모리 수요 급증에 대비한 기술 혁신을 강조했습니다.
기술 표준화와 시장 협력도 활발합니다. SK하이닉스는 샌디스크와 HBF 표준화 작업을 진행 중이며 내년 1월 정식 규격을 발표할 예정입니다. 한편 일론 머스크 테슬라 CEO는 최근 메모리 가격에 대해 언급하며 시장의 높은 관심을 반영하기도 했습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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