사회
차세대 메모리 소재 '산화하프늄' 도메인 경계 형성 원리 규명
뉴스보이
2026.10.28. 09:10
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간단 요약
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국내 연구진이 차세대 메모리 소재인 산화하프늄의 도메인 경계 형성 원리를 규명했습니다.
이번 연구로 메모리 고집적화를 위한 안정적인 구조 설계의 핵심 열쇠를 확보했습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
울산과학기술원(UNIST) 에너지화학공학과 이준희 교수팀과 포항공과대학교(POSTECH) 신소재공학과 최시영 교수팀이 강유전체 산화하프늄(HfO₂)에서 원자 수준의 도메인 경계가 형성되는 원리를 밝혀냈습니다. 해당 연구 결과는 지난 8월 18일 미국물리학회가 발행하는 국제학술지 'Physical Review X'에 게재되었습니다.
연구팀은 산화하프늄 내부에서 나타나는 '포논 쌍 응축' 현상을 통해 도메인 경계가 안정적인 결정 구조를 유지한다는 사실을 확인했습니다. POSTECH 연구진은 원자 분해능을 갖춘 주사투과전자현미경(ABF STEM)을 활용해 산소 원자 배열을 직접 관찰하며 이를 실측했습니다.
이준희 교수는 산화하프늄이 매우 얇은 박막에서도 강유전성을 유지할 수 있고 기존 반도체 공정과도 호환성이 뛰어나 차세대 메모리 소재로 주목받고 있다고 설명했습니다. 이번 원리 규명은 도메인 벽 사이의 간격을 줄이면서도 안정적인 강유전 상태를 유지할 수 있게 해 메모리 집적도를 높이는 데 기여할 전망입니다.
이번 연구는 과학기술정보통신부와 한국연구재단, 산업통상자원부와 한국산업기술진흥원의 지원을 받아 수행되었습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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