사회
국립부경대 이은광 교수팀, '게이트 전극'으로 뇌 모방 소자 기억 조절 전략 규명
뉴스보이
2026.10.28. 15:35
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간단 요약
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연구팀은 게이트 전극 설계만으로 유기 전자소자의 기억 특성을 자유롭게 조절하는 전략을 제시했습니다.
이 기술은 짧은 기억을 긴 기억으로 바꾸는 등 뇌 모방 소자의 성능을 획기적으로 높일 것으로 기대됩니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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국립부경대학교 화학공학과 이은광 교수 연구팀이 뇌를 닮은 유기 전자소자에서 그동안 주목받지 못했던 ‘게이트 전극’의 역할을 규명했습니다. 연구팀은 게이트 전극이 이온을 밀어 넣고 붙잡아 두었다가 다시 빼내는 과정을 직접 결정한다는 점에 주목해, 전극 설계만으로 기억 특성을 조절하는 전략을 체계화했습니다.
구체적인 기술적 방법론도 제시됐습니다. 표면적이 넓은 탄소 전극은 단기 기억과 장기 기억 사이의 특성을 조절하는 데 활용되며, 이온을 내부에 저장하는 전도성 고분자 전극은 장기 기억 구현에 유리합니다. 또한 MOF와 같은 다공성 소재는 이온의 선택적 이동을 도와 기억 특성을 정밀하게 제어할 수 있게 합니다.
이번 연구 결과는 재료과학 분야의 세계적 학술지 ‘Advanced Functional Materials’(IF 19.9)에 2026년 10월 6일자로 게재됐습니다. 연구에는 김용희 국립부경대 연구교수와 김우조 경상국립대 교수가 공동 제1저자로 참여했으며, 한국연구재단 2026년 우수신진연구 사업과 국립부경대학교 글로벌 공동연구 지원을 받아 수행됐습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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