IT/과학
ETRI, 캐패시터 없는 차세대 DRAM 구조 구현 성공 "데이터 1천초 유지"
뉴스보이
2026.04.14. 09:04
뉴스보이
2026.04.14. 09:04
간단 요약
간단 요약
기존 D램의 캐패시터 공정 한계를 극복한 2T0C 구조입니다.
산화물 반도체 트랜지스터로 데이터 유지 안정성이 13배 향상되었습니다.
이 기사는 9개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 9개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
한국전자통신연구원(ETRI)이 캐패시터 없이 데이터를 저장하는 차세대 D램(DRAM) 구조 개발에 성공했습니다. 이 기술은 디스플레이 산업에 활용되는 산화물 반도체 트랜지스터(TFT)를 적용한 ‘2T0C(2 트랜지스터 0 캐패시터)’ D램 구조입니다.
기존 D램은 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구성된 ‘1T1C’ 구조입니다. 그러나 반도체 소형화로 캐패시터 제조가 어려워지고 공정이 복잡해지며 전력 소비가 커지는 한계가 있었습니다.
ETRI 연구진은 알루미늄이 첨가된 인듐 주석 아연 산화물(ITZO)과 아산화질소(N₂O) 플라즈마 공정을 통해 누설전류를 억제했습니다. 이를 통해 1000초 이상 데이터를 안정적으로 유지했으며, 데이터 저장 안정성을 나타내는 메모리 윈도우는 기존 대비 약 13배 향상되었습니다.
ETRI 플렉시블전자소자연구실 남수지 박사는 산화물 반도체 기반 기술이 차세대 저전력·고집적 메모리에 적용될 가능성을 확인했다고 밝혔습니다. 이번 연구 성과는 세계적 학술지 ‘어드밴스드 사이언스’ 3월 온라인판에 발표되었습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
• 이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다.
• AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
