사회
단국대, AI 반도체용 차세대 메모리 'RRAM' 안정성 높이는 공정기술 개발
뉴스보이
2026.06.16. 16:02
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간단 요약
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단국대 연구팀은 금속 전극 증착 속도 조절로 RRAM 안정성을 높였습니다.
이는 저전력 AI 반도체 개발에 활용될 핵심 기술입니다.
이 기사는 7개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 7개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
단국대학교 연구팀이 차세대 인공지능(AI) 반도체의 핵심 소자인 저항변화메모리(RRAM)의 안정성을 높이는 공정 기술을 개발했습니다.
홍웅기 융합반도체공학과 교수 연구팀은 금속 전극의 증착 속도를 조절하여 이황화몰리브덴(MoS₂) 기반 RRAM의 신뢰성과 동작 안정성을 개선했습니다. 이 기술은 복잡한 추가 공정 없이 기존 공정 조건을 정밀하게 제어하여 저전력 AI 반도체 및 뉴로모픽 컴퓨팅 소자 개발에 활용될 수 있습니다.
실험 결과, 초당 0.1옹스트롬(Å)의 낮은 증착 속도로 제작된 소자는 약 1만 배의 저항 차이를 보이며 데이터 '0'과 '1'을 명확하게 구분했습니다. 또한 1만 회 이상 반복 구동 후에도 안정적인 동작 특성을 유지했으며, 2000초 이상 데이터를 안정적으로 저장하는 성능을 확인했습니다.
이번 연구 성과는 미국물리학협회(AIP)가 발행하는 국제학술지 Applied Physics Letters에 게재되었고, Editor’s Pick으로 선정되었습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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