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SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 'HBM4E' 12단 샘플 공급…삼성과 주도권 경쟁 박차
뉴스보이
2026.06.18. 08:59
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간단 요약
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HBM4E는 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 개선, 핀당 16Gbps 속도를 구현했습니다.
SK하이닉스는 MR MUF 공정으로 12단 적층 안정성과 열 저항을 17% 낮췄습니다.
이 기사는 40개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했습니다. 이는 삼성전자가 지난달 HBM4E 12단 샘플 공급을 발표한 데 이어 SK하이닉스도 나서면서 차세대 AI 메모리 반도체 시장 경쟁이 본격화되는 모습입니다.
HBM4E는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 개선한 제품입니다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하며, 에너지 효율은 20% 이상 높아졌습니다. 또한 12단 적층 기준 48GB 용량을 제공합니다.
SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR MUF 공정을 적용하여 12단 적층 구조의 안정성을 높였습니다. 이 공정을 통해 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했습니다. 회사는 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄였습니다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드할 기반을 마련했다고 밝혔습니다. SK하이닉스는 파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하여 기술 리더십을 공고히 할 계획입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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