IT/과학
KAIST, "반도체 전기 막힘 개선"…AI 칩 전력 손실 줄일 새 구조 개발
뉴스보이
2026.07.13. 09:24
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간단 요약
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2차원 반도체 접촉 저항을 줄여 전기 병목현상을 해결했습니다.
준금속과 반도체 영역을 연속 구현해 AI 칩 등 차세대 반도체에 활용됩니다.
이 기사는 8개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 8개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
KAIST 연구팀이 차세대 반도체 개발의 핵심 난제였던 '전기 병목현상'을 해결할 새로운 구조를 개발했습니다.
신소재공학과 홍승범·강기범 교수 연구팀은 성균관대학교 조성범 교수 연구팀과 함께 2차원 반도체에서 전기가 막힘없이 흐르는 구조를 구현했다고 13일 밝혔습니다. 이 기술은 반도체 내부에서 금속 전극과 반도체가 만나는 경계에서 발생하는 접촉 저항을 줄이는 데 기여합니다. 특히 반도체가 작아질수록 커지는 접촉 저항의 영향을 해결할 수 있습니다.
연구팀은 기존 방식과 달리 하나의 2차원 소재 안에 준금속 영역과 반도체 영역을 연속적으로 구현했습니다. 원자층 두께의 백금 다이셀레나이드 박막 안에서 두 영역이 자연스럽게 이어지도록 만들어 전류가 경계에서 막히지 않고 흐르는 것을 세계 최초로 확인했습니다. 원자힘현미경을 이용한 관찰 결과, 전류가 막히거나 방향이 꺾이지 않고 자연스럽게 이동하는 것이 입증되었습니다.
또한, 반도체 영역에 전기장을 가한 실험을 통해 전류 흐름을 안정적으로 제어할 수 있음을 확인했습니다. 이번 연구 결과는 2차원 반도체의 접촉 저항을 줄여 인공지능 반도체, 초저전력 반도체, 차세대 로직 반도체 개발 등에 폭넓게 활용될 수 있습니다. 연구 결과는 재료과학 분야 국제학술지 '매터(Matter)' 7월호에 게재되었습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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