경제
삼성전자, 400단 넘은 10세대 V낸드 공개…AI 스토리지 시장 정조준
뉴스보이
2026.08.31. 19:07
뉴스보이
2026.08.31. 19:07
간단 요약
간단 요약
비트 밀도를 58% 높이고 전력 소모는 25% 줄여 효율성을 극대화했습니다.
128TB 초고용량 SSD를 지원하며 차세대 AI 인프라의 핵심 솔루션으로 주목받습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 5개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
삼성전자가 미국 캘리포니아주에서 열린 세계 최대 메모리·스토리지 기술 컨퍼런스 'FMS 2026'에서 400단 이상의 적층 구조를 구현한 10세대 V낸드(V10)를 공개하며 AI 데이터센터용 스토리지 시장 공략을 본격화했습니다. 이번 신제품은 기술적 성과를 인정받아 '3D 낸드 혁신상'을 수상했습니다.
V10은 이전 세대인 V9 대비 비트 밀도를 58% 이상 높였으며, 입출력 속도는 4.8Gbps로 33% 향상됐습니다. 특히 전력 소모를 25% 절감해 고성능과 저전력을 동시에 구현했습니다. 삼성전자는 이를 통해 128TB 초고용량 SSD를 지원하며 차세대 PCIe Gen7 SSD 등 AI 인프라의 핵심 솔루션으로 활용할 계획입니다.
초고적층 구조 구현을 위해 3스텍 기반의 첨단 HARC Merge 기술과 웨이퍼 본딩 기술이 적용됐습니다. 또한, 외부 전력을 효율적으로 활용하는 e-PIN 구조와 데이터 통신 시 전력 손실을 막는 PI-LTT 기술을 도입해 전력 효율을 극대화했습니다.
박상수 삼성전자 플래시개발실 프로젝트리더는 이번 개발 과정에 대해 "낸드플래시 진화 과정에서 집적도를 높이는 동시에 고성능과 저전력을 유지하는 것은 상충하는 요소를 조율해야 하는 어려운 과제였다"고 설명했습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
• 이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다.
• AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
