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아주대·삼성전자, 반도체 EUV 공정 한계 넘을 '하이브리드 신소재' 개발

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뉴스보이

2026.09.02. 15:40

아주대·삼성전자, 반도체 EUV 공정 한계 넘을 '하이브리드 신소재' 개발

간단 요약

기존 소재의 한계를 보완한 하이브리드 포토레지스트를 개발해 생산성을 높였습니다.

EUV 노광량을 최대 23% 절감하며 실제 양산 공정 적용 가능성을 입증했습니다.

이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.

아주대학교 박성준 교수팀과 삼성전자가 차세대 반도체 공정에 적용 가능한 하이브리드 포토레지스트(HPR) 신소재를 공동 개발했습니다. 이번 연구는 기존 반도체 공정의 한계를 극복하고 국내 소재 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 기대됩니다. 연구팀이 개발한 신소재는 극자외선(EUV) 노광량을 패턴 간격에 따라 기존 대비 16%에서 최대 23%까지 절감할 수 있습니다. 또한 식각 공정에 대한 내구성과 패턴 유지 성능을 동시에 향상시켰으며, 실제 양산 환경인 12인치 웨이퍼 기반 공정에서 성능 검증을 마쳤습니다. 기존 유기 포토레지스트는 EUV 공정에서 한계를 보였고, 무기 소재는 호환성과 안정성 문제로 상용화에 어려움이 있었습니다. 이번 하이브리드 소재는 이들의 단점을 보완하면서도 기존 공정과 즉시 호환이 가능해 제조 원가를 대폭 낮출 수 있다는 평가를 받습니다. 이번 성과는 화학공학 분야 국제 학술지 '케미컬 엔지니어링 저널' 7월호에 게재되었습니다. 연구 과정에는 과학기술정보통신부의 나노·소재기술개발 사업과 산업통상자원부의 K 센서 기술개발사업 등 정부의 지원이 뒷받침되었습니다.
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