IT/과학
반도체 EUV 공정 핵심소재인 주석계 포토레지스트 맞춤 설계 기술 개발
뉴스보이
2026.09.21. 08:40
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간단 요약
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주석계 포토레지스트의 리간드 특성을 제어해 감도와 정밀도를 독립적으로 조절하는 기술을 확보했습니다.
이 기술은 기존 반도체 공정의 고질적 문제인 RLS 상충관계를 해결할 돌파구가 될 전망입니다.
이 기사는 4개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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울산과학기술원(UNIST) 에너지화학공학과 장지현 교수 연구팀이 차세대 반도체 노광 공정의 핵심 소재인 주석계 포토레지스트의 성능을 자유롭게 제어할 수 있는 설계 기술을 개발했습니다. 이번 연구는 반도체 회로를 더 빠르고 정밀하게 그릴 수 있는 새로운 기반을 마련했다는 평가를 받습니다.
연구팀은 리간드의 화학적 특성을 조절해 감도와 정밀도를 독립적으로 설계하는 데 성공했습니다. 구체적으로 '6 SnOC' 소재는 285 µC·cm⁻²의 노광량으로 20nm 패턴을 구현해 고감도 성능을 입증했습니다. 반면 '3 SnOC' 소재는 1000 µC·cm⁻²의 노광량에서 1.02nm의 선 가장자리 거칠기(LER)를 기록하며 매우 매끈한 회로를 형성했습니다.
기존 주석계 포토레지스트는 감도를 높이면 정밀도가 떨어지는 RLS 상충관계 문제로 공정 최적화에 어려움이 있었습니다. 이번 기술은 이러한 한계를 극복해 반도체 미세 공정의 효율을 크게 높일 것으로 기대됩니다.
이번 연구 성과는 나노·마이크로 분야 국제학술지 '스몰(Small)'에 지난 8월 25일 온라인으로 공개됐으며, 후면 표지 논문으로 선정됐습니다. 연구는 과학기술정보통신부와 한국연구재단, 정보통신기획평가원 등의 지원을 받아 수행됐습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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