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반도체 결정 '출발점' 제어 성공…AI 반도체 고집적화 새 길 열었다

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뉴스보이

2026.10.08. 00:01

반도체 결정 '출발점' 제어 성공…AI 반도체 고집적화 새 길 열었다

간단 요약

국내 연구진이 반도체 결정의 핵생성 위치를 정밀하게 제어하는 신기술을 개발했습니다.

400개 패턴 중 99% 이상에서 단결정 성장에 성공하며 고성능 AI 칩 구현의 토대를 마련했습니다.

이 기사는 4개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.

KAIST 신소재공학과 강기범 교수 연구팀이 UNIST, 한양대학교, TDS Innovation과 공동으로 2차원 반도체 결정이 처음 만들어지는 ‘핵생성’ 위치를 정밀하게 제어하는 기술을 개발했습니다. 이번 연구 성과는 국제학술지 ‘네이처(Nature)’에 게재되며 차세대 AI 반도체 고집적화의 핵심 난제를 해결했다는 평가를 받습니다. 연구팀은 무작위로 생성되던 반도체 결정의 출발점을 원하는 위치로 고정하는 ‘결정론적 핵생성’을 구현했습니다. ‘식각 플럭스 매개 단일 중심 핵생성(EF SCN)’으로 명명된 이 기술은 실험 결과 400개 패턴 중 99% 이상에서 단결정 성장에 성공했습니다. 또한 전계효과 이동도의 상대 표준편차를 7.8%까지 낮추고 최대 이동도 117㎠/V·s를 기록하며 소자 성능을 입증했습니다. 이번 성과를 주도한 TDS Innovation은 강기범 교수와 모상현 대표가 공동으로 이끄는 딥테크 기업으로, 최근 중소벤처기업부 딥테크 팁스에 선정되는 등 기술력을 인정받고 있습니다. 다만 실제 반도체 제조 현장에 적용하기 위해서는 대면적 기판 구현과 공정 온도 저감 등 추가적인 산업용 장비 개발 과제가 남아있습니다.
• 이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다.
• AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
소셜데이터 분석
기사 댓글이 많은 언론사를 기준으로 분석했어요
연합뉴스
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1개의 댓글
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2026.10.7 15:14
반도체 제조 과정에서 원자들이 모여 처음 형성되는 결정핵(씨앗) 은 결정 성장의 출발점이다. 여러 결정핵이 동시에 생기면 성장 과정에서 서로 만나 결정립 경계가 형성되고, 이는 전자 이동을 방해해 속도 저하, 전력 소모 증가, 발열 및 성능 저하를 유발한다. 이번 연구는 산소의 핵 생성 억제 효과를 이용해 원하는 위치에 단 하나의 결정핵만 형성되도록 제어함으로써 결함 없는 단결정을 구현했다. 이는 고품질 3차원 적층형 AI 반도체 개발의 핵심 기반 기술로 평가된다.
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• 본 기사는 AI 기술을 활용하여 뉴스를 요약/분석한 정보로, 원문 기사의 내용과 일부 차이가 있을 수 있습니다.
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