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국립부경대·인하대 연구팀, 단일 고분자로 '0·1·2' 구현하는 3진 논리소자 개발

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뉴스보이

2026.10.13. 14:24

국립부경대·인하대 연구팀, 단일 고분자로 '0·1·2' 구현하는 3진 논리소자 개발

간단 요약

단일 고분자반도체를 활용해 기존 이진법의 한계를 넘는 3진 논리소자 기술을 확보했습니다.

MNIST 손글씨 인식 실증 결과, 기존 대비 데이터 인식 성능이 크게 향상된 것으로 나타났습니다.

이 기사는 4개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.

국립부경대학교 이지열 차세대반도체공학전공 교수와 인하대학교 이근형 화학·화학공학융합학과 교수 공동 연구팀이 복잡한 이종접합 구조 없이 단일 고분자반도체만으로 구동하는 3진 인버터를 개발했습니다. 이번 연구에는 박동현 인하대 박사과정생이 제1저자로 참여했습니다. 연구팀은 고분자반도체 내에서 정전기적 도핑과 전기화학적 도핑이 순차적으로 발현되는 메커니즘을 규명해 기존 이종접합 방식의 한계를 극복했습니다. 이는 반도체 미세화의 물리적 한계로 꼽히는 무어의 법칙을 넘어설 대안이자, 차세대 저전력 신경망 컴퓨팅의 기반 기술로 평가받습니다. 실제로 연구팀이 MNIST 손글씨 숫자 인식 실증을 진행한 결과, 3진 신경망은 89.3%의 정확도를 기록했습니다. 이는 기존 이진 신경망의 74.1%보다 높은 수치로, 데이터 인식 성능의 우수성을 입증했습니다. 이번 성과는 재료과학 분야 국제학술지 '어드밴스드 펑셔널 매터리얼즈(Advanced Functional Materials)' 36권 44호에 2026년 10월 1일 자로 게재되었습니다.
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