경제
中 CXMT 추격에 삼성전자 맞불…차세대 '4F² D램' 개발 공식화
뉴스보이
2026.10.14. 17:57
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간단 요약
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삼성전자가 중국 CXMT의 추격에 대응해 차세대 D램 기술인 4F²를 개발 중임을 공식 확인했습니다.
SEDEX 2026에서 국내 기업들이 역대 최대 규모로 차세대 AI 반도체 기술을 선보이며 기술 경쟁력을 과시했습니다.
이 기사는 14개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 14개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
14일 서울 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'이 역대 최대 규모로 막을 올렸습니다. 이번 행사에는 300여 개 기업이 888개 부스를 운영하며 메모리부터 시스템반도체, 소재·부품·장비까지 최신 기술을 선보였습니다.
현장에서는 중국 창신메모리(CXMT)의 추격에 대한 삼성전자의 대응이 단연 화두였습니다. 송재혁 삼성전자 DS부문 CTO 사장은 CXMT가 연내 출시를 예고한 차세대 D램 기술 '4F²'에 대해 "우리도 열심히 개발 중"이라며 공식 대응을 시사했습니다. 4F²는 기존 6F² 구조 대비 셀 면적을 3분의 1가량 줄여 데이터 저장 효율을 극대화하는 핵심 기술입니다.
양사의 기술 로드맵은 다소 차이를 보입니다. CXMT는 4F²를 적용한 DDR5 RDIMM 제품을 올해 말까지 출시하겠다는 계획인 반면, 삼성전자는 4F² 구조를 적용한 10나노 미만 D램을 2028년 양산하는 것을 목표로 기술 고도화에 집중하고 있습니다.
삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E와 zHBM 등 차세대 AI 반도체 포트폴리오를 공개하며 초격차 의지를 다졌습니다. 또한 약 360조 원이 투입되는 용인 국가산업단지 조성 계획도 소개했습니다. 삼성전자는 2027년 착공을 거쳐 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 미래 경쟁력을 확보할 방침입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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