사회
KERI, 15년 묵은 SiC 전력반도체 불량 판별 오류 세계 최초 규명
뉴스보이
2026.10.25. 12:11
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간단 요약
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한국전기연구원 연구팀이 15년간 잘못 알려진 SiC 전력반도체 결함 파장 기준을 바로잡았습니다.
기존 424nm였던 판별 기준을 459nm로 수정하며 반도체 품질 검사의 정확도를 크게 높였습니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
한국전기연구원(KERI) 차세대반도체연구센터 나문경 박사팀이 15년간 학계와 산업계에서 잘못 알려져 온 탄화규소(SiC) 전력반도체의 내부 결함 판별 기준을 세계 최초로 바로잡았습니다.
상용 웨이퍼의 주요 결함인 ‘(4,1) 프랭크형 적층결함’은 그동안 424nm(나노미터) 파장을 내는 것으로 알려져 국제전기기술위원회(IEC) 기준에도 반영돼 왔습니다. 하지만 연구팀은 정밀 분석을 통해 해당 결함의 실제 파장이 459nm라는 사실을 완벽하게 증명해 냈습니다.
연구팀은 머리카락보다 얇은 나노 시편 176개를 직접 가공해 원자분해능 주사투과전자현미경(HAADF HR STEM)으로 관찰했습니다. 여기에 슈퍼컴퓨터를 활용한 밀도범함수이론(DFT) 계산을 더해 교차 검증을 마쳤으며, 홍순구 충남대학교 교수팀 및 호리바에스텍코리아, SK실트론 등과의 산학연 공동연구를 통해 성과를 냈습니다.
이번 연구 결과는 금속·무기재료 분야 세계 최고 학술지인 ‘악타 머티리얼리아(Acta Materialia)’에 게재됐습니다. 나문경 박사는 이 공로를 인정받아 일본 분석·계측 기업 호리바가 주관하는 ‘2026 호리바 마사오상(Masao Horiba Awards)’에서 Honorable Mention을 수상했습니다. 이번 연구는 산업통상자원부의 화합물전력반도체고도화기술개발사업 지원을 받아 수행됐습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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