IT/과학
로옴, "SiC MOSFET용 상면 방열 패키지" 개발…고방열·고내압 동시 구현
뉴스보이
2026.07.09. 15:43
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간단 요약
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전기차 전력 변환 시스템에 최적화된 상면 방열 패키지로 높은 효율과 신뢰성을 구현했습니다.
독자적인 홈 구조로 고내압 절연 설계가 가능하며, 6월부터 양산 중입니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
로옴이 전기차 전력 변환 시스템을 위한 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 신형 패키지를 개발했습니다. 이 신제품은 자동 실장이 가능한 표면실장 구조를 적용하면서도 기존 리드 타입 패키지와 동등한 방열 성능을 구현했습니다.
로옴은 SiC MOSFET용 TSC3PAK 패키지를 개발했으며, 방열면을 패키지 상단에 배치하여 효율과 신뢰성을 높였습니다. 특히 전기차 온보드차저(OBC)와 전동 컴프레서 등 전력 변환 회로에 기여할 것으로 기대됩니다.
패키지에는 독자적인 홈 구조를 적용하여 6.66mm의 연면거리를 확보했습니다. 이는 고내압 애플리케이션에서 안전한 절연 설계를 가능하게 하며, 실장 비용 절감과 신뢰성 향상에 기여합니다. 또한 로옴 4세대 SiC MOSFET를 적용하여 전력 변환 손실을 줄이고 효율을 높였습니다.
신제품은 지난 6월부터 양산을 시작했으며, 로옴 공식 웹사이트에서는 회로 설계를 지원하는 시뮬레이션 모델을 제공하고 있습니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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