경제
삼성전자·GIST·MIT, 차세대 반도체 배선 저항 45% 낮추는 기술 세계 최초 개발
뉴스보이
2026.08.21. 11:29
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간단 요약
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탄소 촉진제를 활용해 루테늄 배선의 결정 정렬도를 높여 전기 저항을 획기적으로 줄였습니다.
이 기술은 2nm급 초미세 공정과 AI 반도체 등 고집적 구조에 폭넓게 적용될 전망입니다.
이 기사는 6개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
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삼성전자 SAIT와 광주과학기술원(GIST), 미국 MIT 공동 연구팀이 차세대 반도체 배선의 전기 저항을 45% 이상 낮추는 기술을 세계 최초로 구현했습니다. 해당 연구 결과는 지난 13일 국제 학술지 '사이언스'에 게재됐습니다.
반도체 미세화가 진행될수록 배선 내부의 전자가 금속 결정 사이의 경계인 '결정립계'와 충돌하며 저항이 커지는 문제가 발생합니다. 연구팀은 이를 해결하기 위해 차세대 배선 소재로 주목받는 루테늄(Ru)에 주목했습니다.
연구팀은 미량의 탄소를 일시적인 결정 성장 촉진제로 활용했습니다. 열처리 과정에서 탄소가 결정립계로 이동한 뒤 기체로 빠져나가며 루테늄 결정의 정렬도를 99% 이상으로 높였고, 그 결과 실제 초미세 배선에서 저항을 45.4% 감소시키는 성과를 거뒀습니다.
이번 기술은 2nm급 초미세 배선은 물론 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC)용 첨단 로직 반도체와 3차원 메모리 구조에 폭넓게 적용될 것으로 기대됩니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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