IT/과학
UNIST, 2차원 반도체 공정 '찌꺼기 난제' 해결해 트랜지스터 성능 10배 높였다
뉴스보이
2026.08.24. 09:35
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간단 요약
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희생 금속막을 활용해 반도체 표면의 공정 잔여물 흡착을 원천 차단하는 기술을 개발했습니다.
이를 통해 트랜지스터의 접촉저항을 10분의 1로 낮추고 전류 성능을 대폭 개선했습니다.
이 기사는 4개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 4개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
UNIST 전기전자공학과 김명수 교수와 반도체소재·부품대학원 김병조 교수 연구팀이 2차원 반도체 공정의 고질적 문제인 포토레지스트 잔여물 오염을 해결하는 기술을 개발했습니다. 이황화몰리브덴은 차세대 반도체 핵심 소재로 주목받지만, 공정 중 발생하는 잔여물이 성능을 저하시키는 난제가 있었습니다.
연구팀은 포토레지스트 도포 전, 이황화몰리브덴 위에 5나노미터(nm) 두께의 희생 금(Au)막을 입히는 방식을 고안했습니다. 이 금속막은 화학물질과 플라즈마가 반도체 표면에 직접 닿지 않도록 보호하는 역할을 합니다. 연구팀은 플라즈마 속 산소가 포토레지스트와 결합해 흡착력을 높이고 결함을 만드는 원리도 규명했습니다.
새로운 공정을 적용한 트랜지스터는 접촉저항이 2.58×10⁵ Ω·μm 수준으로 기존 대비 10분의 1로 감소했습니다. 저항이 줄어들면서 트랜지스터의 온전류는 약 10배 증가하는 성능 개선을 보였습니다. 제1저자인 김다현 연구원은 이 기술이 전자빔 리소그래피 등 다양한 공정에 적용 가능한 범용성을 갖췄다고 설명했습니다.
이번 연구 성과는 나노 분야 국제학술지 '스몰(Small)'에 지난 8월 11일 자로 온라인 게재되었습니다. 차세대 로직 및 메모리 소자 제조 공정의 효율성을 높이는 데 기여할 것으로 기대됩니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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