IT/과학
KAIST, 초박막 반도체 ‘전기 병목’ 뚫었다…범용 주입기 개발로 저전력 AI 반도체 앞당긴다
뉴스보이
2026.09.16. 08:20
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간단 요약
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이셀레늄화주석을 활용해 n형과 p형 반도체 모두에 전기를 공급하는 범용 주입기를 개발했습니다.
이 기술로 구동전류가 1000배 이상 향상돼 차세대 저전력 AI 반도체 구현이 기대됩니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
KAIST 생명화학공학과 서준기 교수 연구팀이 연세대 고경민 교수팀 등과 공동으로 ‘범용 반데르발스 터널링 주입기’를 개발했습니다. 기존에는 n형과 p형 반도체의 전하 주입 조건이 달라 서로 다른 전극을 사용해야 했으나, 연구팀은 이셀레늄화주석(SnSe2)이라는 단일 소재를 활용해 이 문제를 해결했습니다.
이번 기술은 초박막 반도체의 성능을 획기적으로 높였습니다. 실제 p형 WSe2 트랜지스터에 적용한 결과, 기존 니켈 전극 소자 대비 최대 구동전류가 1000배 이상 증가했습니다. n형 MoS2 트랜지스터 역시 전류를 켜고 끄는 성능인 온·오프 전류비가 10억 이상을 기록하며 우수한 효율을 입증했습니다.
이번 연구 결과는 국제학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈’에 게재됐습니다. 연구팀은 이 기술이 차세대 저전력 인공지능(AI) 반도체와 3차원 반도체 구현의 핵심이 될 것으로 보고 있습니다. 향후 기존 반도체 공정과 연결해 대면적 로직회로와 적층형 능동 소자로 확장하는 후속 연구를 이어갈 계획입니다.
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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