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SK하이닉스 HBM4E 샘플 공급, AI 메모리 경쟁 격화

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뉴스보이

2026.06.18. 10:50

SK하이닉스 HBM4E 샘플 공급, AI 메모리 경쟁 격화
SK하이닉스, HBM4E 샘플 공급으로 AI 메모리 경쟁 가열
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SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급함
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이번 신제품은 이전 세대 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징임
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핀당 최대 16Gbps 데이터 처리 속도와 20% 이상 개선된 에너지 효율을 구현함
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어드밴스드 MR MUF 공정을 적용하여 12단 적층 기준 48GB 용량과 구조 안정성을 높임
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삼성전자가 지난달 HBM4E 12단 샘플을 출하한 데 이어 SK하이닉스도 공급하며 AI 메모리 시장 경쟁이 본격화됨
HBM, 왜 차세대 AI 메모리의 핵심인가요?
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HBM이란?
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HBM 시장 경쟁의 역사적 배경
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MR MUF 공정이란?
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HBM이란?
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•
HBM(고대역폭 메모리)은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 쌓아 올려 데이터 처리량을 크게 늘린 고성능 메모리입니다. 기존 D램보다 훨씬 넓은 대역폭을 제공하여 대량의 데이터를 빠르게 처리할 수 있습니다.
•
특히 인공지능(AI) 학습 및 추론에 필수적인 그래픽처리장치(GPU)와 함께 사용될 때 데이터 병목 현상을 해소하고 시스템 성능을 극대화하는 핵심 부품으로 주목받고 있습니다.
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HBM 시장 경쟁의 역사적 배경
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•
SK하이닉스는 HBM 기술 개발 초기부터 선두 주자로 자리매김하며 HBM3, HBM3E 등 주요 세대에서 시장을 주도해 왔습니다. 이는 독자적인 MR MUF 공정 기술과 고객사와의 긴밀한 협력을 통해 이루어졌습니다.
•
삼성전자 또한 HBM 기술 개발에 적극적으로 투자하며 추격에 나섰고, 최근 HBM4E 샘플 출하를 통해 기술력을 과시했습니다. 양사는 차세대 AI 메모리 시장의 주도권을 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있습니다.
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MR MUF 공정이란?
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•
MR MUF(Mass Reflow Molded Underfill)는 반도체 칩을 여러 단으로 쌓아 올린 후, 칩과 칩 사이의 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정입니다. 이 기술은 칩 적층 시 발생할 수 있는 열 저항을 낮추고 구조적 안정성을 높이는 데 기여합니다.
•
SK하이닉스는 이 어드밴스드 MR MUF 공정을 HBM4E에 적용하여 12단 적층에서도 48GB의 대용량을 구현하고, HBM4 대비 열 저항을 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서의 안정적인 동작을 보장했습니다.

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소셜데이터 분석
기사 댓글이 많은 언론사를 기준으로 분석했어요
서울경제
│
29개의 댓글
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2026.6.17 23:56
삼전은 이미 공급인데?
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2026.6.17 23:53
하닉 300 가즈아
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2026.6.17 23:58
삼성전자는 3월 17일에 샘블 출시했다고 했으니 3달 뒤진 건가?
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매일경제
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15개의 댓글
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2026.6.18 00:38
두 기업의 경쟁이 치열할 수록 한국증시는 활황이다.
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2026.6.18 03:30
두 기업 모두 박수~ 성남개잡범은 숫가락 언지마라!
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2026.6.18 02:54
우리나라 참 잘한다. sK,하이닉스, 삼성전자 그대들이 있어 우리나라는 행복합니다.
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SBS Biz
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12개의 댓글
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2026.6.18 06:21
삼성노조위웍장 이젠 성과급 반납하자
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2026.6.18 05:22
삼성 인력 빼가서 성공햇네
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2026.6.18 04:52
닉스. 잘하고 있네. 어디까지 갈지 응원해.
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