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반도체대전 개막, 삼성전자·SK하이닉스 차세대 AI 메모리 기술 격돌
뉴스보이
2026.10.14. 12:27
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3D 적층 D램·HBF 로드맵과 360조원 규모 용인 산단 가동 청사진
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제28회 반도체대전이 서울 코엑스에서 개막하며 삼성전자와 SK하이닉스가 AI 반도체 주도권을 겨룸.
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SK하이닉스는 로직 칩 위에 D램을 얹는 3D 적층 기술과 고대역폭 플래시 로드맵을 공개함.
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이를 통해 AI 인프라 병목을 해소하고 오는 2027년 1월 고대역폭 플래시 표준을 완성할 계획임.
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삼성전자는 4나노 공정 HBM4E 베이스다이와 2나노 웨이퍼 등 차세대 첨단 공정 제품을 전시함.
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이어 약 360조원이 투입되는 용인 국가산단을 내년 착공해 2029년 10월 첫 가동할 방침임.
AI 데이터 병목을 넘기 위한 반도체 구조 혁신과 생산 거점 준비
HBM을 넘어 새로운 메모리 구조가 필요한 이유
차세대 HBM에 첨단 파운드리 공정이 도입되는 이유
360조원 규모 용인 반도체 산단이 추진되는 과정
앞으로 주목할 기술 표준과 양산 일정
HBM을 넘어 새로운 메모리 구조가 필요한 이유
•
생성형 인공지능이 모델 학습을 넘어 실시간 대화와 긴 문맥 추론 중심으로 바뀌면서 방대한 데이터 이동 지연을 해소할 새 메모리 구조가 필요해졌습니다. 방대한 연산 데이터가 고대역폭 메모리의 용량을 초과해 보조기억장치로 넘어가 지연 시간이 급증하는 병목 현상이 발생하고 있습니다.
•
기존 고대역폭 메모리는 연산 장치와 메모리를 기판 위에 나란히 배치해 신호 이동 거리와 단가 면에서 물리적 한계를 보이고 있습니다. 공정이 미세화되더라도 좁은 면적 안에서 셀 용량을 무작정 늘리기 어렵다는 점도 구조 혁신을 재촉하는 원인입니다.
•
SK하이닉스는 이에 대응해 프로세서 바로 위에 D램을 얹는 3차원 적층 D램과 플래시 메모리 기반의 고대역폭 플래시를 제시했습니다. 이 방식은 입출력 통로를 크게 늘려 전력을 아끼고 저장 용량을 기존 고대역폭 메모리보다 열 배 이상 확보하도록 돕습니다.
차세대 HBM에 첨단 파운드리 공정이 도입되는 이유
•
차세대 고대역폭 메모리 규격부터 신호 입출력 단자 수가 두 배로 늘어나 이를 정밀하게 통제할 첨단 로직 공정이 필수적이기 때문입니다. 맨 아래에서 두뇌 역할을 하는 베이스다이가 단순한 신호 전달 통로를 넘어 복잡한 전원과 고속 신호를 분배하는 관제탑으로 변모했습니다.
•
빅테크 기업들이 자체 가속기에 맞춘 연산 기능 탑재와 초저전력 제어를 요구하면서 기존 레거시 공정 대신 선단 파운드리 기술이 접목되고 있습니다. 삼성전자는 4나노 공정 기반의 베이스다이와 2나노 웨이퍼를 비롯해 여러 칩을 하나로 묶는 3차원 입체 패키징 기술을 함께 선보였습니다.
360조원 규모 용인 반도체 산단이 추진되는 과정
•
삼성전자가 추진하는 용인 반도체 국가산업단지는 국가첨단전략산업 특화단지 지정과 예비타당성조사 면제 등 정부의 전폭적인 행정 지원을 발판으로 삼고 있습니다. 2023년 3월 국가 첨단산업 육성전략으로 첫발을 뗀 이후 차세대 반도체 제조 역량을 결집할 핵심 거점으로 지정되었습니다.
•
대규모 공장을 가동하는 데 필수적인 기반 시설을 마련하기 위해 액화천연가스 발전소 건설과 하수 처리수 재이용 방안이 함께 실행되고 있습니다. 초기 전력을 공급할 복합화력 발전 설비를 세우고 인근 지자체의 방류수를 고도로 정수해 공업용수를 차질 없이 조달할 계획입니다.
•
삼성전자는 약 360조원을 투입해 내년 부지 조성에 착수하고 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 준비하고 있습니다. 해당 산업단지에는 약 70개의 반도체 소재와 부품 및 설계 기업이 함께 입주해 거대한 협력 생태계를 구축할 예정입니다.
앞으로 주목할 기술 표준과 양산 일정
•
향후 인공지능 메모리 시장에서는 오는 2027년 1월로 예정된 고대역폭 플래시의 국제 기술 표준 규격 완성이 주요 관전 요소입니다. 표준 규격이 확정되면 인공지능 추론 서비스 환경에서 대용량 데이터를 처리하는 새로운 저장 계층의 상용화가 본격화됩니다.
•
이와 함께 2029년 10월 가동을 목표로 하는 용인 반도체 산단의 착공 절차와 전력망 공급 진척도를 단계별로 확인할 필요가 있습니다. 첨단 패키징을 결합한 차세대 메모리 제품들의 실제 양산 수율과 공정 안정화 여부도 시장 안착을 가를 핵심 변수입니다.
HBM을 넘어 새로운 메모리 구조가 필요한 이유
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생성형 인공지능이 모델 학습을 넘어 실시간 대화와 긴 문맥 추론 중심으로 바뀌면서 방대한 데이터 이동 지연을 해소할 새 메모리 구조가 필요해졌습니다. 방대한 연산 데이터가 고대역폭 메모리의 용량을 초과해 보조기억장치로 넘어가 지연 시간이 급증하는 병목 현상이 발생하고 있습니다.
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기존 고대역폭 메모리는 연산 장치와 메모리를 기판 위에 나란히 배치해 신호 이동 거리와 단가 면에서 물리적 한계를 보이고 있습니다. 공정이 미세화되더라도 좁은 면적 안에서 셀 용량을 무작정 늘리기 어렵다는 점도 구조 혁신을 재촉하는 원인입니다.
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SK하이닉스는 이에 대응해 프로세서 바로 위에 D램을 얹는 3차원 적층 D램과 플래시 메모리 기반의 고대역폭 플래시를 제시했습니다. 이 방식은 입출력 통로를 크게 늘려 전력을 아끼고 저장 용량을 기존 고대역폭 메모리보다 열 배 이상 확보하도록 돕습니다.
차세대 HBM에 첨단 파운드리 공정이 도입되는 이유
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차세대 고대역폭 메모리 규격부터 신호 입출력 단자 수가 두 배로 늘어나 이를 정밀하게 통제할 첨단 로직 공정이 필수적이기 때문입니다. 맨 아래에서 두뇌 역할을 하는 베이스다이가 단순한 신호 전달 통로를 넘어 복잡한 전원과 고속 신호를 분배하는 관제탑으로 변모했습니다.
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빅테크 기업들이 자체 가속기에 맞춘 연산 기능 탑재와 초저전력 제어를 요구하면서 기존 레거시 공정 대신 선단 파운드리 기술이 접목되고 있습니다. 삼성전자는 4나노 공정 기반의 베이스다이와 2나노 웨이퍼를 비롯해 여러 칩을 하나로 묶는 3차원 입체 패키징 기술을 함께 선보였습니다.
360조원 규모 용인 반도체 산단이 추진되는 과정
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삼성전자가 추진하는 용인 반도체 국가산업단지는 국가첨단전략산업 특화단지 지정과 예비타당성조사 면제 등 정부의 전폭적인 행정 지원을 발판으로 삼고 있습니다. 2023년 3월 국가 첨단산업 육성전략으로 첫발을 뗀 이후 차세대 반도체 제조 역량을 결집할 핵심 거점으로 지정되었습니다.
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대규모 공장을 가동하는 데 필수적인 기반 시설을 마련하기 위해 액화천연가스 발전소 건설과 하수 처리수 재이용 방안이 함께 실행되고 있습니다. 초기 전력을 공급할 복합화력 발전 설비를 세우고 인근 지자체의 방류수를 고도로 정수해 공업용수를 차질 없이 조달할 계획입니다.
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삼성전자는 약 360조원을 투입해 내년 부지 조성에 착수하고 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 준비하고 있습니다. 해당 산업단지에는 약 70개의 반도체 소재와 부품 및 설계 기업이 함께 입주해 거대한 협력 생태계를 구축할 예정입니다.
앞으로 주목할 기술 표준과 양산 일정
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향후 인공지능 메모리 시장에서는 오는 2027년 1월로 예정된 고대역폭 플래시의 국제 기술 표준 규격 완성이 주요 관전 요소입니다. 표준 규격이 확정되면 인공지능 추론 서비스 환경에서 대용량 데이터를 처리하는 새로운 저장 계층의 상용화가 본격화됩니다.
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이와 함께 2029년 10월 가동을 목표로 하는 용인 반도체 산단의 착공 절차와 전력망 공급 진척도를 단계별로 확인할 필요가 있습니다. 첨단 패키징을 결합한 차세대 메모리 제품들의 실제 양산 수율과 공정 안정화 여부도 시장 안착을 가를 핵심 변수입니다.
#삼성전자
#SK하이닉스
#반도체대전
#AI 반도체
#HBM4E
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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• AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
