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중국 CXMT 차세대 D램 추격에 삼성전자도 '4F²' 기술 개발 공식 확인
뉴스보이
2026.10.14. 12:27
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2026.10.14. 12:27
차세대 메모리 집적도 경쟁 격화와 한중 3년 기술 격차 평가
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중국 1위 메모리 반도체 기업 CXMT가 셀 면적을 33% 줄이는 차세대 4F² 셀 기술 개발에 속도를 내고 있음
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지난 8월 LPDDR6 양산을 공식화한 CXMT는 4F² 기반 서버용 DDR5 메모리 모듈의 연내 출시를 추진 중임
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이에 맞서 송재혁 삼성전자 최고기술책임자는 14일 반도체대전 행사에서 차세대 4F² 기술을 개발하고 있음을 공식 확인함
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한국 기업들은 미세화 한계를 극복할 차세대 셀 구조 연구를 이어가며 기술 주도권 방어에 나선 상태임
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시장에서는 한국이 중국보다 3년 앞서 있어 당장의 위협론은 과장됐으나 기술 격차 축소 흐름은 경계해야 한다고 분석함
D램 미세화 한계와 한중 반도체 기술 경쟁
4F² 셀 구조가 차세대 돌파구로 꼽히는 이유
중국 CXMT의 기술 선언과 상용화 검증 과제
국내 메모리 업계의 차세대 로드맵과 시장 전망
4F² 셀 구조가 차세대 돌파구로 꼽히는 이유
•
4F² 셀 구조는 회로의 핵심 스위치인 트랜지스터를 수직으로 세워 셀 면적을 획기적으로 줄이는 차세대 기술입니다. 기존 6F² 방식과 달리 트랜지스터를 수직 방향으로 세우는 방식을 활용해 좁은 면적에 더 많은 부품을 넣을 수 있습니다.
•
이 방식을 적용하면 셀 면적이 기존보다 약 33% 줄어들어 웨이퍼 한 장당 데이터 저장 공간을 이론상 50% 정도 늘릴 수 있습니다. 같은 공간에 더 많은 데이터를 담을 수 있어 D램 미세화의 한계를 극복할 핵심 대안으로 평가받습니다.
•
하지만 트랜지스터를 세워 만드는 과정에서 제조 공정이 매우 복잡해진다는 난제가 존재합니다. 따라서 실제 상용화를 위해서는 불량률을 낮추고 안정적인 수율을 확보하는 작업이 필수적입니다.
중국 CXMT의 기술 선언과 상용화 검증 과제
•
중국 1위 메모리 제조사인 창신메모리는 구형 장비에 반복 패터닝 공정을 적용해 차세대 D램 출시를 서두르고 있습니다. 창신메모리는 수직 환형 게이트 기반 4F² 셀 구조를 활용한 서버용 DDR5 메모리 모듈을 연내 출시하겠다는 계획을 내놓았습니다.
•
창신메모리는 지난 8월 모바일용 LPDDR6 양산을 공식화하며 기술 추격에 박차를 가하고 있습니다. 미국의 수출 통제로 최신 극자외선 장비 도입이 막히자 기존 심자외선 장비로 회로를 여러 번 겹쳐 그리는 다중 패터닝 방식을 택했습니다.
•
그러나 공정 단계가 늘어나면 제조 불량률이 급격히 높아져 제품 단가를 맞추기 어렵다는 지적이 지배적입니다. 창신메모리가 칩 크기와 동작 수율 등 핵심 상용화 지표를 공개하지 않아 이번 발표가 선언적 의미에 그칠 수 있다는 평가도 나옵니다.
국내 메모리 업계의 차세대 로드맵과 시장 전망
•
국내 메모리 업계는 기존 공정을 고도화한 뒤 10나노 미만 세대부터 4F²와 3D 적층 기술을 본격적으로 도입할 계획입니다. 송재혁 최고기술책임자가 개발 사실을 확인한 삼성전자는 한 자릿수 나노 세대부터 4F² 구조를 적용하고 2030년경 3D D램을 상용화한다는 목표를 세웠습니다.
•
SK하이닉스 역시 수직 게이트 플랫폼을 바탕으로 회로부를 결합하는 3D 적층 전환 계획을 준비하고 있습니다. 현재 국내 주요 기업들의 기술력은 중국보다 약 3년 앞서 있어 당장의 위협론은 다소 과장되었다는 분석이 우세합니다.
•
글로벌 메모리 시장은 수요 증가로 인해 2029년까지 공급 부족 현상이 이어질 가능성이 제기됩니다. 앞으로 열릴 차세대 메모리 시장에서는 새로운 구조의 수율을 안정적으로 끌어올리는 역량이 판도를 가를 주요 변수가 될 전망입니다.
4F² 셀 구조가 차세대 돌파구로 꼽히는 이유
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4F² 셀 구조는 회로의 핵심 스위치인 트랜지스터를 수직으로 세워 셀 면적을 획기적으로 줄이는 차세대 기술입니다. 기존 6F² 방식과 달리 트랜지스터를 수직 방향으로 세우는 방식을 활용해 좁은 면적에 더 많은 부품을 넣을 수 있습니다.
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이 방식을 적용하면 셀 면적이 기존보다 약 33% 줄어들어 웨이퍼 한 장당 데이터 저장 공간을 이론상 50% 정도 늘릴 수 있습니다. 같은 공간에 더 많은 데이터를 담을 수 있어 D램 미세화의 한계를 극복할 핵심 대안으로 평가받습니다.
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하지만 트랜지스터를 세워 만드는 과정에서 제조 공정이 매우 복잡해진다는 난제가 존재합니다. 따라서 실제 상용화를 위해서는 불량률을 낮추고 안정적인 수율을 확보하는 작업이 필수적입니다.
중국 CXMT의 기술 선언과 상용화 검증 과제
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중국 1위 메모리 제조사인 창신메모리는 구형 장비에 반복 패터닝 공정을 적용해 차세대 D램 출시를 서두르고 있습니다. 창신메모리는 수직 환형 게이트 기반 4F² 셀 구조를 활용한 서버용 DDR5 메모리 모듈을 연내 출시하겠다는 계획을 내놓았습니다.
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창신메모리는 지난 8월 모바일용 LPDDR6 양산을 공식화하며 기술 추격에 박차를 가하고 있습니다. 미국의 수출 통제로 최신 극자외선 장비 도입이 막히자 기존 심자외선 장비로 회로를 여러 번 겹쳐 그리는 다중 패터닝 방식을 택했습니다.
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그러나 공정 단계가 늘어나면 제조 불량률이 급격히 높아져 제품 단가를 맞추기 어렵다는 지적이 지배적입니다. 창신메모리가 칩 크기와 동작 수율 등 핵심 상용화 지표를 공개하지 않아 이번 발표가 선언적 의미에 그칠 수 있다는 평가도 나옵니다.
국내 메모리 업계의 차세대 로드맵과 시장 전망
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국내 메모리 업계는 기존 공정을 고도화한 뒤 10나노 미만 세대부터 4F²와 3D 적층 기술을 본격적으로 도입할 계획입니다. 송재혁 최고기술책임자가 개발 사실을 확인한 삼성전자는 한 자릿수 나노 세대부터 4F² 구조를 적용하고 2030년경 3D D램을 상용화한다는 목표를 세웠습니다.
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SK하이닉스 역시 수직 게이트 플랫폼을 바탕으로 회로부를 결합하는 3D 적층 전환 계획을 준비하고 있습니다. 현재 국내 주요 기업들의 기술력은 중국보다 약 3년 앞서 있어 당장의 위협론은 다소 과장되었다는 분석이 우세합니다.
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글로벌 메모리 시장은 수요 증가로 인해 2029년까지 공급 부족 현상이 이어질 가능성이 제기됩니다. 앞으로 열릴 차세대 메모리 시장에서는 새로운 구조의 수율을 안정적으로 끌어올리는 역량이 판도를 가를 주요 변수가 될 전망입니다.
#삼성전자
#CXMT
#4F²
#송재혁
#중국
이 콘텐츠는 뉴스보이의 AI 저널리즘 엔진으로 생성 되었으며, 중립성과 사실성을 준수합니다. AI가 작성한 초안을 바탕으로 뉴스보이 에디터들이 최종검수하였습니다. (오류신고 : support@curved-road.com)
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