IT/과학
KAIST, 차세대 메모리 속 미세 전류 통로 비밀 풀었다
뉴스보이
2026.11.12. 10:05
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간단 요약
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KAIST 연구팀이 저항변화메모리(RRAM) 내부의 전류 통로를 3차원으로 관찰하는 데 성공했습니다.
전극 표면의 미세 돌기가 전류 통로의 형성 방향을 결정한다는 핵심 원리를 규명했습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
이 기사는 3개 언론사의 보도를 교차 검증하여 작성되었습니다.
KAIST 신소재공학과 홍승범·박상희 교수 공동연구팀이 차세대 메모리로 주목받는 저항변화메모리(RRAM) 내부의 전류 통로를 3차원으로 관찰하고, 그 형성 원리를 규명했다고 12일 밝혔습니다. 이번 연구 결과는 국제학술지 '나노 레터스'에 지난 8월 11일 온라인 게재됐습니다.
연구팀은 두께 10nm의 이산화티타늄 층과 백금 전극을 활용해 실험을 진행했습니다. 전도성 원자힘현미경(C-AFM)을 이용해 다이아몬드 탐침으로 시료를 조금씩 깎아내며 내부 구조를 복원하는 방식을 택했습니다.
분석 결과, 전극 표면의 미세한 돌출부에 전기장이 집중되면서 전류 통로가 자라는 방향을 유도한다는 사실을 확인했습니다. 통로의 끝부분이 이 돌출부와 연결되는 경향을 보인 것입니다.
저항변화메모리는 전원이 꺼져도 정보를 유지하고 구조가 단순해 차세대 저장 장치나 인공지능 소자로 기대를 모으고 있습니다. 연구팀은 향후 전극 재료와 표면 모양 등을 변경하며 추가 분석을 이어갈 계획입니다.
